577 640 555
sws@sws.cz
 
 
Skladem
Ceník
Detail produktu

SanDisk Express microSD Card, 512GB Up to 880MB / s Read, Up to 650MB / s Write, 210MB / s Sustained Write, U3, C10

Výrobce: Sandisk

Kód: SDK00057

PartNumber: SDSQXFN-512G-GN4NN

Váha: 0.06 kg

Obvyklá dodací lhůta: 5 (dny)

Záruční lhůta: 1 (doživotně)

Záruční lhůta EU: 10 (doživotně)

Celní zařazení: 85235110 … více informací

85235110 0.00 Energeticky nezávislá polovodič.paměť.zařízení-nenahraná (flash disky, SD ) 21%
Přihlásit se

Vaše cena a stav skladu se zobrazí po přihlášení.

Obrázek produktu
GPSR Western Digital, Prime House(Sandisk);PO Box 13379,Swords,Co Dublin,Ireland;support@wdc.com
Kapacita 512 GB
Typ micro SD/SDHC/SDXC
Neomezujte svůj kreativní potenciál a využijte nové možnosti s našimi kartami SANDISK microSD Express - kartami microSD nové generace pro ty, kdo se nechtějí zastavit. Karta s rozhraním PCIe® Gen 3-NVMe nyní přináší průlomový výkon, který nově definuje, co je možné. Funguje s řadou přenosných herních zařízení a poskytuje velmi rychlé načítání a mimořádně plynulý a pohlcující herní zážitek. Tvořte poutavý obsah na vyšší úrovni s kartou, která podporuje již dnes záznam videa v rozlišení až 5.3K a videa v rozlišení až 8K v budoucích nových zařízeních. Technologie SANDISK ThermAdapt pomáhá díky speciálně navrženému pouzdru a adaptivní tepelné regulaci udržet teplo vznikající při velké rychlosti na rozumné úrovni, která je vhodná pro provoz.

Technické údaje
Kapacita
512GB
Provedení
microSDXC™
Rychlost sekvenčního čtení
Up to 880MB/s
Rychlost sekvenčního zápisu
Up to 650MB/s
Rozhraní
PCIe Gen 3
Rozměry (L x W x H)
14.99mm x 10.92mm x 1.02mm
Warranty
Omezená celoživotní záruka
Hmotnost
0.26gms
Číslo modelu
SDSQXFN-512G-GN4NN
Provozní teplota
-25°C to 85°C
Non-Operating Temperature
-40°C to 85°C


Vlastnosti produktu
Je připravena na budoucí superrychlé produkty s rozhraním PCIe NVMe™ a rychlostí UHS-I
Až 3,5× rychlejší rychlost čtení než naše nejrychlejší karty microSD UHS-I
Odolá vodě, vysokým i nízkým teplotám, vlhkosti, důsledkům pádu, nárazům, magnetickému poli, rentgenovému záření a opotřebení
Ke stažení, odkazy

Neručíme za správnost informací, poskytovaných třetí stranou.